深圳市创瑾尚芸科技有限公司
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先进半导体封装 高导热、强键合无压烧结解决方案
伴随以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代功率半导体在新能源汽车、光伏及高频通信领域的高速发展，传统合金焊料的温区限制已无法满足极限温升下的高可靠封装需求。创瑾科技自主研发的 CJQ-030 低温无压烧结银浆，采用先进的微纳复合银粉配方，可在 200℃ 的低温空气（Air）氛围中实现快速致密化烧结。在完全无压的前提下，键合层剪切强度可突破 60 MPa，热导率高达 205 W/m·K，对标并满足行业标杆京瓷 CT2700-RTS 的应用标准。
采用独特的微纳粒子配方。在 200℃ 完全无压的烧结工艺下，其金属键合界面的抗剪切强度可稳定大于 60 MPa，可显著提升组件使用可靠性。
热导率高达 205 W/m·K，其熔点大于 900℃，有效解决第三代高功率半导体芯片面临的高温热流死角，保持温区稳定。
不需外部辅助加压即可致密化烧结，极大降低了对封装机械设备的门槛；可在空气（Air）中直接烧结，不限制于 N2 氛围保护。
科学的流变载体配方，烧结后有机物挥发干净，无任何副产物残留，无需二次溶剂清洁，工艺更环保、更高效。
| 测试类目 | 测试项目 | 标杆产品 CT2700-RTS | 我司自研产品 CJQ-030 | 方法与标准 |
|---|---|---|---|---|
| 基本物性 | 外观 | 银灰色 | 银灰色 | / |
| 填料 | 微纳复合银粉 | 微纳复合银粉 | / | |
| 金属含量 (%) | 90.7 | 91.1 | 热重分析 | |
| 粒径 (μm) | ≤25 | ≤25 | 扫描电子显微镜 | |
| 比重 (g/cc) | 10.2 | 8.66 | 比重杯 | |
| 吸潮性 (%) | <0.1 | <0.063 | 85deg.C / 85%Rh / 96hrs | |
| 粘度 (Pa·s) | 80 | 100 | 旋转流变仪 (5⁻¹/S) | |
| 烧结条件 | 温度 (℃) | 200 / 250 | 200 |
恒温烘箱，升温速率 5℃/min 参考对标样品推荐工艺曲线 |
| 气氛 | Air / N2 | Air | ||
| 压力 | 无压 | 无压 | ||
| 界面 | Au / Ag / Cu | Au / Ag | ||
| 键合性能 | 剪切强度 (MPa) | 35 | >60 | DBC板，DAGE 4000 |
| 热导率 (W/m·K) | 200 | 205 | 激光闪射法 | |
| 体积电阻率 (Ω·cm) | 5 × 10⁻⁶ | 5.6 × 10⁻⁶ | 四探针法 | |
| 熔点 (℃) | >900 | >900 | / | |
| 残留 | 无残留，无需清洁 | 无残留，无需清洁 | / |
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